Это яркий пример инфраструктурного проекта. Его реализация поддержит развитие отечественной микроэлектроники, оптоэлектроники, солнечной энергетики, коммуникаций и других высокотехнологичных отраслей,PЂЂЂ подчеркивает управляющий директор по инфраструктурной деятельности РОСНАНО Евгений Евдокимов.PЂЂЂ Проект прежде всего рассчитан на спрос со стороны внутреннего рынка, но благодаря высоким техническим характеристикам и конкурентной цене оборудование SemiTEq будет востребовано и на мировом рынке. К 2015Pгоду планируемая экспортная выручка будет составлять около 25% от общих продаж».
Установки, производимые проектной компанией, позволяют получать полупроводниковые материалы (эпитаксиальные гетероструктуры) с качественно новыми характеристиками. На основе подобных гетероструктур изготавливаются светодиоды, лазеры, солнечные элементы, транзисторы, сенсоры и другая инновационная продукция.
Реализация проекта приведет к расширению производства существующих и выпуску новых видов оборудования для некремниевой электроники, в том числе первых отечественных производственных установок для молекулярно-пучковой эпитаксии. Проект также предусматривает выпуск производственного оборудования для электронно-лучевого напыления, плазмохимического травления, термической обработки и производство исследовательских комплексов «Нанолаборатория».
Инвестиции получит компания-заявитель «Научное и технологическое оборудование», которая под брендом SemiTEq выпускает сверхвысоковакуумное оборудование для НИОКР и мелкосерийного производства в области нанотехнологий и наноэлектроники, полупроводниковой микро- и оптоэлектроники.
Инфраструктурный проект по производству технологического оборудования для молекулярно-пучковой эпитаксии и планарного процессинга одобрен наблюдательным советом РОСНАНО. Общий бюджет проекта оценивается в 630Pмлн. рублей, из них инвестиции РОСНАНОPЂЂЂ до 140Pмлн. рублей.
Опубликовано empirv в 24 февраля, 2010 - 13:22
» РОСНАНО проинвестирует производство высокотехнологического оборудования
РОСНАНО проинвестирует производство высокотехнологического оборудования | Нанотехнологии Nanonewsnet
Комментариев нет:
Отправить комментарий